STGB19NC60KDT4

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20 A, 600 V short circuit rugged IGBT

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  • These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

    主な特徴

    • Low on voltage drop (VCE(sat))
    • Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
    • Short-circuit withstand time 10 μs
    • IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode

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STGB19NC60KDT4 D2PAK Tape And Reel
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20 A, 600 V short circuit rugged IGBT

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      20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
      4.0
      1.3 MB
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      DS5824

      20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB19NC60KDT4
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20 A, 600 V short circuit rugged IGBT D2PAK Industrial Ecopack2

STGB19NC60KDT4

Package:

20 A, 600 V short circuit rugged IGBT

Material Declaration**:

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General Description

20 A, 600 V short circuit rugged IGBT

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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