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These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
主な特徴
- Low on voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Short-circuit withstand time 10 μs
- IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode
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モバイル･アプリケーション
| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF19NC60KD | 量産中 | 20 A, 600 V short circuit rugged IGBT | TO-220FP | Industrial | Ecopack2 | |
STGF19NC60KD
Package:
20 A, 600 V short circuit rugged IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
