製品概要
概要
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.-
特徴
- Low on voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Short-circuit withstand time 10 μs
- IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 19 Jul 2017 | 19 Jul 2017 |
アプリケーションノート (2)
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| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
フライヤ (2)
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| 30 Apr 2021 | 30 Apr 2021 | |||
| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGP19NC60KD
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGP19NC60KD | 量産中 | 20 A, 600 V short circuit rugged IGBT | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGP19NC60KD | 1 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | -55 | 150 | CHINA | 20 A, 600 V short circuit rugged IGBT | 0.957 / 500 | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
