製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.-
特徴
- High speed switching
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Short-circuit rated
- Ultrafast soft recovery antiparallel diode
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製品スペック (1)
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| 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
アプリケーションノート (2)
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| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
フライヤ (2)
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| 30 Apr 2021 | 30 Apr 2021 | |||
| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGP20H60DF
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGP20H60DF | 量産中 | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGP20H60DF
Package:
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGP20H60DF | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | -55 | 175 | CHINA | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | 1.45 / 1k | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
1.45 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
