製品概要
概要
This device combines two IGBTs and diodes in half-bridge topology mounted on a very compact and rugged easily surface-mounted package. The device is part of the HB series IGBTs, which is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included in every switch. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications.
-
特徴
- AQG 324 qualified
- High-speed switching series
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 80 A
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance thanks to DBC substrate
- Positive temperature VCE(sat) coefficient
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
- Isolation rating of 3.4 kVrms/min
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STGSH80HB65DAG
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSH80HB65DAG | 量産中 | Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology 650 V, 80 A HB series IGBT with diode | ACEPACK SMIT | オートモーティブ | Ecopack2 | 10 | 2023-07-13T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSH80HB65DAG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGSH80HB65DAG 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。