製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery half-rated diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 40 A
- Soft and very fast recovery half-rated co-packaged diode
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGWA40H65DHFB2
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA40H65DHFB2 | 量産中 | Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGWA40H65DHFB2 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | - | - | CHINA | Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | ||||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
