STGWA60V60DF

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600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWA60V60DF

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA60V60DF
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600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA60V60DF

Package:

600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。