製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.-
特徴
- Best-in-class SOA capability
- High current surge capability
- Extremely low on-resistance
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STH200N10WF7-2
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STH200N10WF7-2 |
量産中
|
H2PAK-2 | インダストリアル | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STH200N10WF7-2 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | 2.7732 / 1k | ||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
2.7732 / 1k（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。