製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.-
特徴
- Best-in-class SOA capability
- High current surge capability
- Extremely low on-resistance
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STH200N10WF7-2 | 量産中 | H2PAK-2 | インダストリアル | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STH200N10WF7-2 | 2 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | |
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。