Product overview
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
-
All features
- Best-in-class SOA capability
- High current surge capability
- Extremely low on-resistance
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STH200N10WF7-2
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH200N10WF7-2 | Active 交換品交換品 | H2PAK-2 | Industrial | Ecopack1 (*) | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH200N10WF7-2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STH200N10WF7-2 Active
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