Product overview
概要
STH280N10F8-6は、強化されたトレンチ･ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術で設計された100V Nチャネル･エンハンスメント･モードのパワーMOSFETです。
内部キャパシタンスとゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現すると同時に、超低オン抵抗により最高水準の性能指数を保証します。
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All features
- 最大動作時接合部温度：175℃
- 100%アバランシェ試験済み
- 優れたFoM（性能指数）
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STH280N10F8-6
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 15 Jan 2026 | 15 Jan 2026 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH280N10F8-6 | Active 交換品交換品 | H2PAK-6 | Industrial | Ecopack1 | 10 | 2026-01-15T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH280N10F8-6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STH280N10F8-6 Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。