STH310N10F7-6

量産中
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N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package

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製品概要

概要

These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

  • 特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STH310N10F7-6

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH310N10F7-6
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H2PAK-6 インダストリアル Ecopack1 (*)

STH310N10F7-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STH310N10F7-6
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