Product overview
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
-
All features
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STH410N4F7-2AG
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Footprints
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 3.0 | 28 Jul 2017 | 28 Jul 2017 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH410N4F7-2AG | Active 交換品交換品 | H2PAK-2 | Automotive | Ecopack1 (*) | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH410N4F7-2AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STH410N4F7-2AG Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。