製品概要
概要
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- Fast-recovery body diode
- Lower RDS(on) x area vs previous generation
- Low gate charge, input capacitance and resistance
- 100% avalanche tested
- Extremely dv/dt ruggedness
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
注目ビデオ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 | アクション | 詳細 | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | アクション | オプション | |
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 05 Oct 2021 | 05 Oct 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STHU32N65DM6AG | 量産中 交換品交換品 | HU3PAK | オートモーティブ | Ecopack1 | 10 | 2020-09-28T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STHU32N65DM6AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STHU32N65DM6AG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。