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MDmesh™ DM6スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETはST最新の高速ダイオード内蔵のMOSFETシリーズで、フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに最適化されています。

これらの600V~650V高速回復MOSFETは、非常に小さなリカバリ電荷と時間(Qrr、trr)を特徴とし、従来世代のものに比べてRDS(on)が最大15%低くなっています。堅牢なdV/dt特性(50V/ns)のため、交流電源ラインのノイズや高調波等の大きな電圧過渡現象がある場合でも確実に動作します。これらのパワーMOSFETSTPOWER™ファミリに属しています。

主な特徴と利点

  • 内蔵ダイオードの逆回復時間(Trr)の改善による効率の向上
  • dV/dt性能上昇による信頼性向上
  • 車載用アプリケーション向けのAEC-Q101認定済み600Vおよび650V高速回復MOSFET

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


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