製品概要
概要
このNチャネル･パワーMOSFETは、トレンチ･ゲート構造を強化したSTripFET F7テクノロジーを採用し、きわめて低いオン抵抗を実現した高効率MOSFETです。内部電荷容量とゲート電荷を削減することで、より高速かつ効率的なスイッチングを実現しています。
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特徴
- きわめて低いRDS(on)
- 優れたFoM（性能指数）
- EMI耐性を実現する低Crss/Ciss比率
- 高いアバランシェ耐性
- ロジック･レベル VGS(th)
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STL130N6LF7
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 28 Jan 2026 | 28 Jan 2026 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL130N6LF7 | 量産中 | PowerFLAT 5x6 | インダストリアル | Ecopack2 | 7 | 2026-01-28T00:00:00.000+01:00 | |
STL130N6LF7
Package:
PowerFLAT 5x6Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL130N6LF7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STL130N6LF7 量産中
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