STL4P3LLH6

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P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance RDS(on)
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL4P3LLH6 PowerFLAT 2x2 Tape And Reel
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STL4P3LLH6

パッケージ

PowerFLAT 2x2

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Tape And Reel

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9650
      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package
      2.0
      760.41 KB
      PDF
      DS9650

      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package

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      AN4391
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      1.0
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      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      AN4391

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL4P3LLH6
量産中
PowerFLAT 2x2 Industrial Ecopack2

STL4P3LLH6

Package:

PowerFLAT 2x2

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 2x2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください