N-channel 30 V, 0.021 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL6N3LLH6

パッケージ

PowerFLAT 2x2

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS9055
      N-channel 30 V, 0.021 Ω typ., 6 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 2x2 package
      3.0
      920.76 KB
      PDF
      DS9055

      N-channel 30 V, 0.021 Ω typ., 6 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 2x2 package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN1506
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      1.2
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      UM1575
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      1.3
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      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HW Model, CAD Libraries & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
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      STL6N3LLH6 PSpice model

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
STL6N3LLH6
Active
PowerFLAT 2x2 インダストリアル Ecopack2

STL6N3LLH6

Package:

PowerFLAT 2x2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 2x2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.