Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level
    • Wettable flank package

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STL86N3LLH6AG PowerFLAT 5x6 WF Tape And Reel
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STL86N3LLH6AG

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PowerFLAT 5x6 WF

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Tape And Reel

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10615
      Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mΩ typ., 80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      5.0
      620.1 KB
      PDF
      DS10615

      Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mΩ typ., 80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

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      STL86N3LLH6AG PSpice model 1.0
      4.01 KB
      ZIP

      STL86N3LLH6AG PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL86N3LLH6AG
アクティブ
PowerFLAT 5x6 WF オートモーティブ Ecopack2

STL86N3LLH6AG

Package:

PowerFLAT 5x6 WF

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

PowerFLAT 5x6 WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.