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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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製品型番
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梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
Quantity
ECCN (US)
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販売代理店からオーダー
STからオーダー
STL9P3LLH6 PowerFLAT 3.3x3.3 Tape And Reel
Active
0.75 1000 EAR99 CHINA

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STL9P3LLH6

パッケージ

PowerFLAT 3.3x3.3

梱包タイプ

Tape And Reel

Unit Price (US$)

0.75*

製品ステータス

Active

Unit Price (US$)

0.75

Quantity

1000

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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Mobile Applications

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS10145
      P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -9 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package
      3.0
      593.33 KB
      PDF
      DS10145

      P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -9 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

    • 概要 Version Size Action
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STL9P3LLH6 PSpice model 1.0
      3.34 KB
      ZIP

      STL9P3LLH6 PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL9P3LLH6
Active
PowerFLAT 3.3x3.3 Industrial Ecopack2

STL9P3LLH6

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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