STLD200N4F6AG

NRND
Design Win

Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package

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製品概要

概要

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Wettable flank package

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STLD200N4F6AG

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STLD200N4F6AG
NRND
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling オートモーティブ Ecopack2

STLD200N4F6AG

Package:

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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パッケージ
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RoHS
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。