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  • The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The STN83003 is expressly designed for a new solution to be used in compact fluorescent lamps, where it is coupled with the STN93003, its complementary PNP transistor.

    主な特徴

    • High voltage capability
    • Very high switching speed

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STN83003 SOT-223 Tape And Reel
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DIGIKEY WORLDWIDE 19329 1 Order Now
COMPEL EUROPE 7714 1 Order Now
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AVNET AMERICA 3000 0 Order Now
ARROW EUROPE 260000 0 Order Now
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MOUSER WORLDWIDE 33099 1 Order Now
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS4732
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      3.1
      266.43 KB
      PDF
      DS4732

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STN83003
Active
SOT-223 インダストリアル Ecopack2

STN83003

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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SOT-223

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Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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