製品概要
概要
これらの高電圧デバイスは、定評あるPowerMESHの最適化であるSTのSuperMESHテクノロジーを用いて開発されたツェナー･ダイオードによって保護されたNチャネル･パワーMOSFETです。オン抵抗の大幅な低減に加え、これらのデバイスは、最も要求の厳しいアプリケーション向けに高レベルのdv/dt特性を確保するように設計されています。
-
特徴
- 極めて高いdv/dt特性
- 強化されたESD耐性
- 100%アバランシェ試験済み
- ゲート電荷の最小化
- 非常に低い固有静電容量
- ツェナー･ダイオードによる保護
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STP12NK80Z
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP12NK80Z | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | - | - | |
STP12NK80Z
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STP12NK80Z | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STP12NK80Z 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。