STP7NK80Z

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N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 package

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  • The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

    Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

    主な特徴

    • Extremely high dv/dt capability
    • Gate charge minimized
    • 100% avalange tested
    • Very good manufacturing repeatibility
    • Very low intrinsic capacitances

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DIGIKEY WORLDWIDE 1007 1 Order Now
COMPEL EUROPE 1884 1 Order Now
RS COMPONENTS EUROPE 235 5 Order Now
ARROW EUROPE 2135 0 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 970 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 436 1 Order Now
ANGLIA Live EUROPE 350 1 Order Now
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推奨製品

推奨コンテンツ

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS2861
      N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D²PAK,I²PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
      6.2
      935.37 KB
      PDF
      DS2861

      N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D²PAK,I²PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP7NK80Z
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TO-220AB Industrial Ecopack2

STP7NK80Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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