製品概要
概要
This STripFETV Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.-
特徴
- RDS(on) * Qg industry benchmark
- Very low switching gate charge
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- Low gate drive power losses
- High avalanche ruggedness
注目ビデオ
Ideal for hard-switching and high-current topologies
推奨コンテンツ
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STS10DN3LH5
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STS10DN3LH5 | NRND | SO-8 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STS10DN3LH5 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | NRND | EAR99 | NEC | Tape And Reel | SO-8 | - | - | CHINA | 0.4222 / 1k | ||
製品ステータス
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
0.4222 / 1k（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
