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STS10P4LLF6

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P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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STS10P4LLF6 SO-8 Tape And Reel
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DIGIKEY WORLDWIDE 1714 1 Order Now
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ARROW EUROPE 2482 0 Order Now
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STS10P4LLF6

パッケージ

SO-8

梱包タイプ

Tape And Reel
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ARROW EUROPE 2482 0 Order Now
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS10121
      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., 10 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in SO-8 package       		3.0
      734.27 KB
      		PDF
      DS10121

      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., 10 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in SO-8 package

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    • 概要 Version Size Action
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      		STS10P4LLF6 PSpice model 1.0
      3.34 KB
      		ZIP

      STS10P4LLF6 PSpice model

      ZIP
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STS10P4LLF6
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SO-8 インダストリアル Ecopack2

STS10P4LLF6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

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Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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