Product overview
概要
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.-
All features
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
All tools & software
All resources
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製品スペック (1)
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22 Jan 2021 |
22 Jan 2021
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アプリケーションノート (1)
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13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
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フライヤ (1)
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08 May 2020 |
08 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)
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ZIP | 15 Jan 2015 |
15 Jan 2015
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品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STS10P4LLF6 |
量産中
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SO-8 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STS10P4LLF6 | 4 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | SO-8 | - | - | CHINA | 1.15 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。