STS6P3LLH6

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P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9470
      P-channel 30 V, 0.024 Ω typ., 6 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a SO-8 package
      2.0
      712.3 KB
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      DS9470

      P-channel 30 V, 0.024 Ω typ., 6 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a SO-8 package

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STS6P3LLH6 PSpice model

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STS6P3LLH6
量産中
SO-8 Industrial Ecopack2

STS6P3LLH6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください