STS9P3LLH6

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P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STS9P3LLH6 SO-8 Tape And Reel
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STS9P3LLH6

パッケージ

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ECCN (US)

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Country of Origin

CHINA

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10146
      P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -9 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package
      2.0
      596.07 KB
      PDF
      DS10146

      P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -9 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      347.01 KB
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      AN4337

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STS9P3LLH6 PSpice model 1.0
      3.34 KB
      ZIP

      STS9P3LLH6 PSpice model

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      305.22 KB
      PDF

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STS9P3LLH6
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SO-8 Industrial Ecopack2

STS9P3LLH6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください