N-channel 20 V, 0.025 Ohm typ., 5 A STripFET(TM) V Power MOSFET in SOT23-6L package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class.

    主な特徴

    • Very low profile package
    • Conduction losses reduced
    • Switching losses reduced
    • 2.5 V gate drive
    • Very low threshold device

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STT5N2VH5 SOT23-6L Tape And Reel
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      839.29 KB
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      DS10260

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STT5N2VH5
NRND
SOT23-6L インダストリアル Ecopack2

STT5N2VH5

Package:

SOT23-6L

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

SOT23-6L

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.