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  • The device is manufactured in low voltage PNP Planar Technology with \"Base Island\" layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector to emitter saturation voltage
    • 3 A continuous collector current (IC)
    • DC current gain > 100 (hFE)

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STT818B SOT23-6L Tape And Reel
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DIGIKEY WORLDWIDE 5542 1 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 4940 1 Order Now

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STT818B

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SOT23-6L

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500

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CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2594
      High gain low voltage PNP power transistor
      5.2
      143.56 KB
      PDF
      DS2594

      High gain low voltage PNP power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STT818B
アクティブ
SOT23-6L インダストリアル Ecopack2

STT818B

Package:

SOT23-6L

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

SOT23-6L

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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