STU70R1K3S | Product - STマイクロエレクトロニクス

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製品概要

概要

This device is an high voltage N-channel Power MOSFET. This product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.

特徴
Reduced switching losses

Lower R_DS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected
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TO-LL leadless surface mounted packages for high-power performance

ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.

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ZIP	Check to add to the download list STU70R1K3S Pspice Model	1.0	09 Sep 2020	ZIP	09 Sep 2020 STU70R1K3S Pspice Model 1.0

STU70R1K3S

生産終了

N-channel 700 V, 1.3 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in an IPAK package

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