STU7NF25

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N-channel 250 V 0.29 Ohm typ., 8 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in IPAK package

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  • This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • 175 °C junction temperature

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技術文書

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      DS9844
      N-channel 250 V, 0.29 Ω typ., 8 A STripFET™ II Power MOSFET in IPAK package
      1.0
      736.57 KB
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      DS9844

      N-channel 250 V, 0.29 Ω typ., 8 A STripFET™ II Power MOSFET in IPAK package

    • 概要 Version Size Action
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      1.1
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      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STU7NF25
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IPAK インダストリアル Ecopack2

STU7NF25

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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