STW12NK90Z

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N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 11 A SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package

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  • This device is made using the SuperMESH™ Power MOSFET technology that is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

    主な特徴

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Very good manufacturing repeatability

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STW12NK90Z

パッケージ

TO-247

梱包タイプ

Tube

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CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

推奨製品

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS3364
      N-channel 900 V, 0.72 Ω, 11 A TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
      6.1
      479.59 KB
      PDF
      DS3364

      N-channel 900 V, 0.72 Ω, 11 A TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN2623
      Evaluation board for off-line forward converter based on L5991
      1.2
      1.24 MB
      PDF
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN2623

      Evaluation board for off-line forward converter based on L5991

      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW12NK90Z PSpice model (.lib) 1.0
      564 Byte(s)
      ZIP

      STW12NK90Z PSpice model (.lib)

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW12NK90Z
量産中
TO-247 Industrial Ecopack2

STW12NK90Z

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください