RF3L05200CB4

量産中

200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

データシートのダウンロード
概要
Online design
サンプル & 購入
ソリューション
ドキュメント
CADリソース
ツール & ソフトウェア
品質 & 信頼性
はじめる
Partner products
Sales Briefcase

製品概要

概要

The RF3L05200CB4 is a 200 W 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB/B and C for all typical modulation formats.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

推奨コンテンツ

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - RF3L05200CB4

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

Symbols

Symbols

Footprints

Footprints

3D model

3D models

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF3L05200CB4
量産中
LBB インダストリアル N/A

RF3L05200CB4

Package:

LBB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

LBB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
RF3L05200CB4

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tape And Reel LBB - - 100.0 / 100

RF3L05200CB4

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

LBB

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。