RF3L05200CB4

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200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

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製品概要

概要

The RF3L05200CB4 is a 200 W 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB/B and C for all typical modulation formats.

  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - RF3L05200CB4

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

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EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF3L05200CB4
量産中
LBB インダストリアル N/A

RF3L05200CB4

Package:

LBB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

LBB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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量産中
EAR99 NEC Tape and Reel LBB - -

RF3L05200CB4 量産中

パッケージ:
LBB
ECCN (US):
EAR99

製品型番:

RF3L05200CB4

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

販売代理店

販売代理店在庫データ:

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。