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  • The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration Push-pull
    • POUT = 60 W with 16 dB gain @ 860 MHz
    • BeO-free package

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SD56060
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- - M246 Loose Piece EAR99 MOROCCO No availability of distributors reported, please contact our sales office

SD56060

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M246

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Loose Piece

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    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

      Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS11102
      RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
      1.0
      222.9 KB
      PDF
      DS11102

      RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness 1.0
      221.33 KB
      PDF

      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SD56060
Active
M246 インダストリアル Ecopack1

SD56060

Package:

M246

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

M246

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.