Product overview
概要
The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.-
All features
- Excellent thermal stability
- Common source configuration Push-pull
- POUT = 60 W with 16 dB gain @ 860 MHz
- BeO-free package
All resources
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製品スペック (1)
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16 Jun 2015 |
16 Jun 2015
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フライヤ (4)
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06 Oct 2020 |
06 Oct 2020
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07 Jul 2020 |
07 Jul 2020
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07 Jul 2020 |
07 Jul 2020
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17 Dec 2019 |
17 Dec 2019
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | ||||||||||
SD56060 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Loose Piece | M246 | - | - |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。