SD56060

量産中

RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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製品概要

概要

The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SD56060

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SD56060
量産中
M246 インダストリアル Ecopack1

SD56060

Package:

M246

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

M246

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
SD56060

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Loose Piece M246 - -

SD56060

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M246

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。