SD56060 - RF power transistor, the LdmosST family - STMicroelectronics

検索履歴

ブックマーク

Please log in to show your saved searches.

概要

ツール & ソフトウェア

リソース

ソリューション

品質 & 信頼性

Sales Briefcase

eDesignSuite

Get Started

サンプル & 購入

Partner products

クイックリンク

The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.

主な特徴
- Excellent thermal stability
- Common source configuration Push-pull
- P_OUT = 60 W with 16 dB gain @ 860 MHz
- BeO-free package
続きを読む一部を表示

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

製品スペック
- 概要バージョンサイズアクション
  
  DS11102
  RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 1.0
  222.9 KB
  PDF
  
  DS11102
  
  RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
  
  PDF

関連資料

フライヤー

	概要	バージョン	サイズ	アクション
	28/32 V LDMOS. New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz	1.0	210.43 KB	PDF
	28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness	1.0	221.33 KB	PDF

28/32 V LDMOS. New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz

28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness