ST50V10200

量産中

200 W, 50 V, HF to 1.5GHz RF Power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The ST50V10200 is a common-source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial, avionics and industrial applications at frequencies up to 1.5 GHz. It can be used in A/AB and C classes for all typical modulation formats.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate/source voltage range
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

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3D model

3D models

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
ST50V10200
量産中
M246 インダストリアル Ecopack1

ST50V10200

Package:

M246

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

M246

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
ST50V10200

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Loose Piece M246 - 200

ST50V10200

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M246

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

200

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。