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ST9060C

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RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

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  • The ST9060C is a 28/32 V common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial, avionics and industrial applications at frequencies up to 1.5 GHz. The device can be used in Class A, AB and C for all typical modulation formats.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • Integrated ESD protection – HBM Class 2
    • POUT (@28 V) = 80 W with 17 dB gain / 70% efficiency @945 MHz
    • BeO free package
    • In compliance with European Directive 2002/95/EC
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS12437
      RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz       		2.0
      297.65 KB
      		PDF
      DS12437

      RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

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      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz

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      28/32V LDMOS: IDDE technology boost efficiency & robustness

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製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度（℃） Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
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ST9060C

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください
量産中
EAR99 NEC Loose Piece M243 - -

ST9060C

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
詳細情報

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M243

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。