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  • This P-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET process. It has specifically been designed to sustain high TID and provide immunity to heavy ion effects.

    This Power MOSFET is fully ESCC qualified.

    主な特徴

    • Fast switching
    • 100% avalanche tested
    • Hermetic package
    • 100 krad TID
    • SEE radiation hardened

サンプル & 購入

製品型番
製品ステータス
SMD PIN/Detailed Spec
Quality Level
EPPL
Hi-Rel Package
Lead Finish
梱包タイプ
Package: Product Marking
詳細情報
販売代理店からオーダー
STからオーダー
STRH12P10GYG
Active
5205/029/01R ESCC - TO-257AA Gold Carrier Tape 520502901R + BeO
詳細情報

Mass (gr):

10

ECCN (US):

EAR99

Country of Origin:

FRANCE

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STRH12P10GYT
Active
5205/029/02R ESCC - TO-257AA Solder dip Carrier Tape 520502902R + BeO
詳細情報

Mass (gr):

10

ECCN (US):

EAR99

Country of Origin:

FRANCE

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STRH12P10GY1
Active
- Engineer model - TO-257AA Gold Carrier Tape STRH12P10GY1 + BeO
詳細情報

Mass (gr):

10

ECCN (US):

EAR99

Country of Origin:

FRANCE

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STRH12P10GYG

製品ステータス

Active

SMD PIN/Detailed Spec

5205/029/01R

Quality Level

ESCC

EPPL

-

Hi-Rel Package

TO-257AA

Lead Finish

Gold

梱包タイプ

Carrier Tape

Package: Product Marking

520502901R + BeO

Mass (gr)

10

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

FRANCE

STRH12P10GYT

製品ステータス

Active

SMD PIN/Detailed Spec

5205/029/02R

Quality Level

ESCC

EPPL

-

Hi-Rel Package

TO-257AA

Lead Finish

Solder dip

梱包タイプ

Carrier Tape

Package: Product Marking

520502902R + BeO

Mass (gr)

10

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

FRANCE

STRH12P10GY1

製品ステータス

Active

SMD PIN/Detailed Spec

-

Quality Level

Engineer model

EPPL

-

Hi-Rel Package

TO-257AA

Lead Finish

Gold

梱包タイプ

Carrier Tape

Package: Product Marking

STRH12P10GY1 + BeO

Mass (gr)

10

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

FRANCE

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推奨コンテンツ

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS8699
      Rad-Hard 100 V, 12 A P-channel Power MOSFET
      6.0
      627.33 KB
      PDF
      DS8699

      Rad-Hard 100 V, 12 A P-channel Power MOSFET

    • 概要 Version Size Action
      TN1188
      Chip storage and handling for aerospace products with silver backside
      2.1
      334.38 KB
      PDF
      TN1181
      Engineering Model quality level
      2.1
      371.75 KB
      PDF
      TN1188

      Chip storage and handling for aerospace products with silver backside

      TN1181

      Engineering Model quality level

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STRH12P10 pSPICE model (.lib) 1.0
      1 KB
      ZIP

      STRH12P10 pSPICE model (.lib)

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      Aerospace and Hi-rel - ESCC, JANS & QML products 1.0
      1.57 MB
      PDF

      Aerospace and Hi-rel - ESCC, JANS & QML products

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STRH12P10GY1
Active
TO257 parallel seam welding EM Industrial N/A
STRH12P10GYG
Active
TO257 parallel seam welding FP Industrial N/A
STRH12P10GYT
Active
TO257 parallel seam welding FP Industrial N/A

STRH12P10GY1

Package:

TO257 parallel seam welding EM

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO257 parallel seam welding EM

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

STRH12P10GYG

Package:

TO257 parallel seam welding FP

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO257 parallel seam welding FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

STRH12P10GYT

Package:

TO257 parallel seam welding FP

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO257 parallel seam welding FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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