製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET™process. It has specifically been designed to sustain high TID and provide immunity to heavy ion effects.
This Power MOSFET is fully ESCC qualified.
-
特徴
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Hermetic package
- 50 krad TID
- SEE radiation hardened
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STRH8N10
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 3.3 | 26 Apr 2021 | 26 Apr 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STRH8N10S1 | 量産中 | SMD.5 | インダストリアル | N/A | - | - | |
| STRH8N10SG | 量産中 | SMD.5 | インダストリアル | N/A | - | - | |
STRH8N10S1
Package:
SMD.5Material Declaration**:
STRH8N10SG
Package:
SMD.5Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Package: Product Marking | SMD PIN/Detailed Spec | Quality Level | Lead Finish | |
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| STRH8N10S1 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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| STRH8N10SG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STRH8N10S1 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STRH8N10SG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。