STPSC10H065BY-TR

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Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, the SiC diode will boost performance in hard switching conditions.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Recommended to PFC applications
    • PPAP capable
    • ECOPACK compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC10H065BY-TR

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
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DPAK オートモーティブ Ecopack2

STPSC10H065BY-TR

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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