STPSC20H065C
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650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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Product overview

概要

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • All features

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability

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STMicroelectronics - STPSC20H065C

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Quality and Reliability

Part Number Marketing Status Package Grade RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date Material Declaration**
STPSC20H065CW
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TO-247 Industrial Ecopack2 - -

STPSC20H065CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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RoHS
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ECCN (US)
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Junction Temperature (°C) (max)
STPSC20H065CW

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STPSC20H065CW Active

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
Package:
Packing Type:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

Part Number:

STPSC20H065CW

Junction Temperature (°C) (max):

175

販売代理店

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