太陽光発電用インバータ（ストリング & 集中型）
ストリング･インバータと集中型インバータは、送配電網に接続された太陽光発電アプリケーションに使用される最も一般的な電力変換システムです。これらのインバータは、電圧レベルへの適応や最大電力点追従制御（MPPT）機能実装のためのDC-DC変換段を内蔵し、太陽電池パネルとDC-AC変換段からのエネルギー転送を最大化して、ACグリッドに送られる電流および電圧波形を正しく形成します。これらのインバータは、AC切断時の安全を確保する単独運転防止機能を備えています。電力はストリング / マルチストリング･インバータの数kWから集中型インバータ･ソリューションの何十、何百kWまで広範囲におよぶため、非常に高い入力電圧（最大1500V）のトポロジを採用するのが一般的です。
STは、幅広いシリコン･カーバイド（SiC）タイプのパワーMOSFET（接合部動作温度：業界最高の200℃）とトレンチゲート･フィールドストップIGBTを提供しています。これらのデバイスを組み合わせた高効率のACEPACKパワー･モジュールも利用可能です。STはガルバニック絶縁型ゲート･ドライバや高性能マイクロコントローラSTM32も提供して、高効率のストリング･インバータおよび集中型インバータの設計をサポートしています。さらに、STは各種の無線 / 有線通信ソリューションを提供しています。
リソース
技術文書
アプリケーションノート
| Description | バージョン | サイズ | |
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AN1768: ADMISSIBLE AVALANCHE POWER OF SCHOTTKY DIODES | 1.1 | 46 KB |
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AN2025: CONVERTER IMPROVEMENT USING SCHOTTKY RECTIFIER AVALANCHE SPECIFICATION | 1.1 | 147 KB |
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AN604: Calculation of conduction losses in a power rectifier | 3.2 | 137 KB |
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AN4021: Calculation of reverse losses in a power diode | 1.0 | 120 KB |
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AN4653: Cycling endurance and data retention of high density EEPROM based on CMOS F8H process | 1.0 | 267 KB |
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AN3432: How to choose a bypass diode for silicon panel junction box | 1.0 | 290 KB |
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AN4671: How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses | 1.1 | 555 KB |
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AN4242: New generation of 650 V SiC diodes | 2.0 | 4 MB |
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AN5046: Printed circuit board assembly recommendations for STMicroelectronics PowerFLAT™ packages | 3.0 | 5 MB |
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AN5088: Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations | 2.0 | 2 MB |
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AN3095: STEVAL-ISV002V1, STEVAL-ISV002V2 3 kW grid-connected PV system, based on the STM32F103xx | 3.0 | 3 MB |
Design Notes & Tips
| Description | バージョン | サイズ | |
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DN0010: Adapting ST power line modem evaluation boards to communicate over a DC bus | 1.1 | 405 KB |
プレゼンテーション & トレーニング資料
プレゼンテーション
| Description | バージョン | サイズ | |
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ACEPACK™ overview | 1.1 | 3 MB |
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EEPROM 2 Mbit highest density memories | 1.0 | 2 MB |
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ST PowerStudio overview | 1.0 | 1 MB |
Publications and Collaterals
フライヤー
| Description | バージョン | サイズ | |
|---|---|---|---|
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1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages | 1.0 | 626 KB |
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400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode | 1.0 | 205 KB |
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650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package | 1.0 | 919 KB |
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ACEPACK™: Adaptable, Compact, and Easier Packages Power Modules | 1.0 | 770 KB |
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HB series 650 V IGBTs Trench Gate Field-stop High-speed technologies | 1.0 | 183 KB |
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ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS | 2.0 | 1 MB |
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STGAP1AS - 革新的な堅牢性と優れた柔軟性を実現するガルバニック絶縁素子内蔵ゲート･ドライバ | 03.2017 | 263 KB |
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SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching | 3.0 | 651 KB |
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Trench gate field-stop IGBT 1200V M series | 1.0 | 845 KB |
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ST8500 スマート･グリッド社会の実現に貢献 | 10.2017 | 735 KB |
パンフレット
| Description | バージョン | サイズ | |
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パワー･マネージメントガイド 2017 | 09.2017 | 3 MB |
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STM32F3 series - Mainstream 32-bit MCUs | 17.09 | 1 MB |
