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650 V power Schottky silicon-carbide diode

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  • The SiC diode is a high voltage power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Used as a freewheeling or output rectification diode, this rectifier will enhance the performance and form factor of the targeted power supply or inverter.

    主な特徴

    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • ECOPACK®2 compliant component
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製品型番
製品ステータス
パッケージ
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Junction Temperature (°C) (max)
ECCN (US)
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TO-247 Tube 175 EAR99 CHINA 5.002 / 100.0 購入 在庫チェック

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5.002 / 100.0

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パッケージ

TO-247

梱包タイプ

Tube

Junction Temperature (°C) (max)

175

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS11097
      650 V power Schottky silicon carbide diode       		3.0
      451.63 KB
      		PDF
      DS11097

      650 V power Schottky silicon carbide diode

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      PDF
      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		7.0
      433.12 KB
      		PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
      		ZIP

      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

      ZIP

Presentations & Training Material

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      		PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

      PDF

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      		PDF
      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      		PDF
      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      		Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
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      		Silicon-carbide diodes 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC40065CW
量産中
TO-247 Industrial Ecopack2

STPSC40065CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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