STPSC40065C

量産中
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650 V power Schottky silicon-carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode is a high voltage power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Used as a freewheeling or output rectification diode, this rectifier will enhance the performance and form factor of the targeted power supply or inverter.

  • 特徴

    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • ECOPACK®2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC40065C

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC40065CW
量産中
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STPSC40065CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STPSC40065CW
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梱包タイプ:
RoHS:
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ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STPSC40065CW

Operating Temperature (°C)

最小:

最大:

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175

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。