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STの低V F、200V~400Vの超高速ダイオードは、導通損失を最小化するためにV Fを最も重視しながら、超高速ダイオードのカテゴリに入るのに十分な速度を保つよう設計されています。この方法によって、この低V Fダイオードは、スイッチング周波数が数十kHzとなるアプリケーションに最適です。

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