VD55H1

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Low power, low noise 3D iToF 0.5 Mpix sensor die

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製品概要

概要

The VD55H1 is a low-noise, low-power, 672 x 804 pixel (0.54 Mpix), indirect Time-of-Flight (iToF) sensor die manufactured on advanced backside-illuminated, stacked wafer technology. Combined with a 940 nm illumination system, it enables building a small form-factor 3D camera producing a high-definition depth map with typical ranging distance up to 5 meters in full resolution, and beyond 5 meters with patterned illumination. With a unique ability to operate at 200 MHz modulation frequency and more than 85% demodulation contrast, the sensor can produce depth precision twice as good as typical 100 MHz modulated sensors, while multifrequency operation provides long distance ranging. The low-power 4.6 µm pixel enables state-of-the-art power consumption, with average sensor power down to 80 mW in some modes. The VD55H1 outputs 12-bit RAW digital video data over a MIPI CSI-2 quad lane or dual lane interface clocked at 1.5 GHz. The sensor frame rate can reach 60 fps in full resolution and 120 fps in analog binning 2x2. ST has developed a proprietary software image signal processor (ISP) to convert RAW data into depth map, amplitude map, confidence map and offset map. Android formats like DEPTH16 and depth point cloud are also supported.
The device is fully configurable through the I2C serial interface. It features a 200 MHz low-voltage differential signaling (LVDS) and a 10 MHz, 3-wire SPI interface to control the laser driver with high flexibility. The sensor is optimized for low EMI/EMC, multidevice immunity, and easy calibration procedure.
The sensor die size is 4.5 x 4.9 mm and the product is delivered in the form of reconstructed wafers.
  • 特徴

    • Ultra-compact 0.54 Mpix iToF sensor die
      • 672 x 804 indirect Time-of-Flight (iToF) sensor die (0.54 Mpixel)
      • 4.6 μm backside illuminated fast photodiode pixel, 1/4’’ optical format
      • 4.5 mm x 4.9 mm die manufactured on advanced 40 nm stacked wafer technology
    • Enabling low-power, high precision depth map
      • Pixel with >85% demodulation contrast at 200 MHz modulation frequency
      • Low noise charge domain pixel (kTC free) < 5e-
      • Multifrequency supported (up to three frequencies)
      • Average sensor power consumption down to 80 mW
      • Smart iToF modulation, no need for wiggling error calibration
      • Multi-user interferences reduction
      • Optimized for low EMI/EMC
    • Easy integration for 3D camera
      • Raw data output on MIPI CSI2 interface at 1.5 GHz (quad or dual lane)
      • 10/12-bit configurable ADC resolution
      • Sensor raw output up to 120 fps (depth-level frame rate)
      • Sensor control: Fast mode+ I2C slave interface (up to 1 MHz)
      • Laser driver interface: LVDS and 3-wire SPI
      • Software ISP for depth reconstruction available

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - VD55H1

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VD55H1CCA0/RW
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GOOD DIE インダストリアル N/A

VD55H1CCA0/RW

Package:

GOOD DIE

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

GOOD DIE

Grade

Industrial

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N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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VD55H1CCA0/RW

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EAR99 NEC Tape Mounted GOOD DIE -30 55 -

4.5 x 4.9

-

FRANCE

VD55H1CCA0/RW 開発中

パッケージ:
GOOD DIE
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

VD55H1CCA0/RW

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tape Mounted

Operating Temperature (°C)

最小:

-30

最大:

55

Operating Range Distance (m) (max):

-

Package size (mm):

4.5 x 4.9

Country of Origin:

FRANCE

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。