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  • The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • Fast switching speed
    • High current gain characteristic
    • Surface mounting device in medium power SOT-223 package

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2STN2540 SOT-223 Tape And Reel
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS4952
      Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor
      3.3
      199.73 KB
      PDF
      DS4952

      Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STN2540
Active
SOT-223 インダストリアル Ecopack2

2STN2540

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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Marketing Status

Active

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SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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