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  • The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level during breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.

    主な特徴

    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STからオーダー
販売代理店からオーダー
BUL741 TO-220AB Tube
量産中
EAR99 CHINA

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

BUL741

パッケージ

TO-220AB

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5224
      High voltage fast-switching NPN power transistors
      3.2
      330.37 KB
      PDF
      DS5224

      High voltage fast-switching NPN power transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
BUL741
量産中
TO-220AB Industrial Ecopack2

BUL741

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください