Product overview
概要
The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level during breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
-
All features
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- High voltage capability
- Very high switching speed
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - BULD742C
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Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BULD742CT4 | Active 交換品交換品 | DPAK | Industrial | Ecopack2 | - | 2024-06-10T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| BULD742CT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
BULD742CT4 Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。