GWA75H65DRFB2

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Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

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製品概要

概要

The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performances are optimized both in conduction and switching energies for hard switching application. In this configuration, it has been co-packed with a high ruggedness rectifier diode.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 75 A
    • Co-packed with high ruggedness rectifier diode
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - GWA75H65DRFB2

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
GWA75H65DRFB2
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Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

GWA75H65DRFB2

Package:

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。