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ブレークダウン電圧が950V~1050VのMDmesh™ DK5 MOSFETは、ST初の超高耐圧高速ダイオード内蔵Nチャネル・パワーMOSFETです。45nCの極めて低いゲート電荷と250ns(typ.)の業界最高クラスの回復時間(trr)を実現することにより、産業用溶接機、プラズマ発生器、高周波数誘導溶融/加熱、X線装置などのハイパワー・アプリケーション向けのZVS LLC共振コンバータに最適となっています。パワーMOSFETSTPOWER™ファミリに属しています。

0.12Ω(VGS = 10V, ID = 23A)という業界で最も低いオン抵抗(RDS(on))と優れた耐久性を備えていることから、MDmesh DK5高速ダイオード内蔵MOSFETシリーズは、ハードスイッチング・トポロジにも適しています。

MDmesh DK5 Nチャネル超高電圧MOSFETは、ロング・リードTO-247およびISOTOPパッケージなどの幅広いスルーホールおよびSMDパワー・パッケージで利用できます。

主な特徴

  • 高速ダイオード内蔵MOSFETの中で業界最高クラスのQg(45 nC)を実現
  • 超高耐圧高速ダイオード内蔵MOSFETの中で最小クラスの逆回復時間(250ns typ.)を実現
  • 業界で最も低いRDS(on)(Max247およびISOTOPパッケージで0.12 Ω)
  • 極めて良好なCoss/Cissプロファイル

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


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