MDmesh™ M6シリーズは、低いゲート電荷（Qg）と最適化された静電容量プロファイルを兼ね備えた高耐圧スーパー･ジャンクションMOSFETです。共振トポロジに最適な製品で、コンバータ設計における電力効率や電力密度の向上に貢献します。
ブレークダウン電圧が600V～650VのMDmesh M6パワーMOSFETには、幅広いパッケージ･オプションが用意されています。
- ||| 新製品 ||| 高耐圧PowerFLAT 5 x 6: 5mm x 6mm以内の基盤面積で最大650Vまでの動作に要求される最大の絶縁距離および空間距離を提供
- TOリードレス（TO-LL）パッケージ: 効率的な温度管理を実現
- 高電圧PowerFLAT 8x8パッケージ: MOSFETの効率向上を実現する、専用のケルビン･ソース端子によりゲート駆動を改善できる超薄型の表面実装型パッケージ
- ||| 新製品 ||| MDmesh M6シリーズを拡充する13A定格のSTF18N60M6および36A定格のSTF46N60M6（いずれもTO-220FPパッケージで提供）。電力効率と電力密度の向上により、きわめて効果的なスイッチング動作を実現した、コンバータに最適なデバイス
MDmesh M6シリーズは、STPOWERファミリの製品です。
主な機能
- ソフトスイッチング用に最適化された閾値電圧
- ハードスイッチングとソフトスイッチングの良好なスイッチング動作
- 低ゲート電荷により高周波数での動作を実現
- 電力変換アプリケーションの新たなトポロジで高効率を目標に最適化された静電容量プロファイルと閾値電圧
- きわめて高効率のパフォーマンスで電力密度を向上
- 幅広い製品ポートフォリオ
STのスーパー･ジャンクションMOSFETの製品ポートフォリオでは、チャージャ、アダプタ、シルバー･ボックス･モジュール、LED照明、通信、サーバ、太陽光など、産業アプリケーション向けの幅広い動作電圧に対応しています。
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護機能により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、カスタマイズされた長寿命かつ高効率のアプリケーションに適したソリューションを簡単に見つけることができます。
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.