MDmesh M6シリーズ

低いゲート電荷（Qg）と最適化された静電容量プロファイルを兼ね備えたスーパー･ジャンクション高耐圧MOSFET MDmesh™ M6シリーズは、共振トポロジにおいて今日の参照基準となります。この新しいスーパー･ジャンクションMDmesh™ M6シリーズは、電力変換装置の設計者に対し、高い効率と電力密度のさらなる追求をサポートします。

ブレークダウン電圧が600V～700VのMDmesh™ M6パワーMOSFETは、次のような幅広いパッケージ･オプションで利用できます。

• 高耐圧PowerFLAT 5 x 6ソリューション :最大650Vまでの動作に要求される絶縁距離と空間距離はともに、5 x 6mmのフットプリント内で最大値に設定されています。     ||| 新製品 |||
• TOリードレス（TO-LL）パッケージ :効率的な温度管理を実現
• 高電圧PowerFLAT 8x8パッケージ :専用のケルビン･ソース端子によりゲート駆動を改善できる、超薄型表面実装型によりMOSFETの効率向上を実現

これらのパワーMOSFETはSTPOWER™ファミリに属しています。

主な特徴と利点:

• ソフトスイッチング用に最適化された閾値電圧
• ハードスイッチングとソフトスイッチングの良好なスイッチング動作
• 低ゲート電荷で高周波数での動作を実現
• 電力変換アプリケーションの新たなトポロジで高効率を目標に最適化された静電容量プロファイルと閾値電圧
• 極めて高効率のパフォーマンスで電力密度を向上
• 幅広い製品ポートフォリオ

STのスーパー･ジャンクションMOSFETポートフォリオでは、充電器、アダプタ、シルバー･ボックス･モジュール、LED照明、通信、サーバ、太陽光などの産業アプリケーション向けの幅広い動作電圧に対応しています。

STPOWER™製品の幅広いポートフォリオは、高い信頼性と安全性を実現する最先端のパッケージングと保護性能を備え、設計者は、カスタマイズした高効率なアプリケーションに適した長期にわたって有効な適切なソリューションを見つけることができます。