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パワー・トランジスタ Minimize menu

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低いゲート電荷(Qg)と最適化された静電容量プロファイルを兼ね備えたスーパー・ジャンクション高耐圧MOSFET MDmesh™ M6シリーズは、共振トポロジにおいて今日の参照基準となります。MDmesh M6シリーズは、コンバータ設計における電力効率や電力密度の向上に貢献します。

ブレークダウン電圧が600V~700VのMDmesh M6パワーMOSFETには、幅広いパッケージ・オプションが用意されています。

MDmesh M6シリーズは、STPOWERファミリの製品です。

主な特徴と利点

  • ソフトスイッチング用に最適化された閾値電圧
  • ハードスイッチングとソフトスイッチングの良好なスイッチング動作
  • 低ゲート電荷で高周波数での動作を実現
  • 電力変換アプリケーションの新たなトポロジで高効率を目標に最適化された静電容量プロファイルと閾値電圧
  • 極めて高効率のパフォーマンスで電力密度を向上
  • 幅広い製品ポートフォリオ

STのスーパー・ジャンクションMOSFETの製品ポートフォリオでは、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、通信、サーバ、太陽光など、産業アプリケーション向けの幅広い動作電圧に対応しています。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護機能により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、カスタマイズされた長寿命かつ高効率のアプリケーションに適したソリューションを簡単に見つけることができます。