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低いゲート電荷(Qg)と最適化された静電容量プロファイルを兼ね備えたスーパー・ジャンクション高耐圧MOSFET MDmesh™ M6シリーズは、共振トポロジにおいて今日の参照基準となります。この新しいスーパー・ジャンクションMDmesh™ M6シリーズは、電力変換装置の設計者に対し、高い効率と電力密度のさらなる追求をサポートします。

ブレークダウン電圧が600V~700VのMDmesh™ M6パワーMOSFETは、次のような幅広いパッケージ・オプションで利用できます。

これらのパワーMOSFETはSTPOWER™ファミリに属しています。

主な特徴と利点:

  • ソフトスイッチング用に最適化された閾値電圧
  • ハードスイッチングとソフトスイッチングの良好なスイッチング動作
  • 低ゲート電荷で高周波数での動作を実現
  • 電力変換アプリケーションの新たなトポロジで高効率を目標に最適化された静電容量プロファイルと閾値電圧
  • 極めて高効率のパフォーマンスで電力密度を向上
  • 幅広い製品ポートフォリオ

STのスーパー・ジャンクションMOSFETポートフォリオでは、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、通信、サーバ、太陽光などの産業アプリケーション向けの幅広い動作電圧に対応しています。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


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