SCTH100N65G2-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2PAK-7 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Source sensing pin for increased efficiency

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SCTH100N65G2-7AG

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH100N65G2-7AG
量産中
H2PAK-7 オートモーティブ Ecopack1

SCTH100N65G2-7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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量産中
EAR99 NEC Tape and Reel H2PAK-7 - - CHINA

SCTH100N65G2-7AG 量産中

パッケージ:
H2PAK-7
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

SCTH100N65G2-7AG

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

Country of Origin:

CHINA

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地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。